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NTHS5441T1G

型号:

NTHS5441T1G

封装:

8-SMD, Flat Lead

数据表:

NTHS5441

描述:

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SMD, Flat Lead

  • 引脚数

    8

  • 质量

    4.535924g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 3.9A Ta

  • 2.5V 4.5V

  • 1

  • 1.3W Ta

  • 42 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 电压 - 额定直流

    -20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C BEND

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    -3.9A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    8

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.3W

  • 接通延迟时间

    14 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    46m Ω @ 3.9A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    710pF @ 5V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    22nC @ 4.5V

  • 上升时间

    22ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    22 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5.3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.06Ohm

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 栅源电压

    -1.2 V

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    3.1mm

  • 宽度

    1.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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