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NTB4302T4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
74A Tc
4.5V 10V
1
80W Tc
32 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
74A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
80W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.3m Ω @ 37A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 4.5V
上升时间
70ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
74A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0093Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
175A
雪崩能量等级(Eas)
722 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)
-
NTB4302T4
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
74 A
74A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
74 A
74A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75 A
9.7A (Ta), 75A (Tc)
20 V
74.4 W
1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75 A
9.7A (Ta), 75A (Tc)
20 V
74.4 W
1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
±20V
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