![HUFA76429P3](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
47A Tc
4.5V 10V
110W Tc
51 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
UltraFET™
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
额定电流
44A
元素配置
Single
功率耗散
110W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
22mOhm @ 47A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1480pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
46nC @ 10V
上升时间
100ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
104 ns
连续放电电流(ID)
47A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
输入电容
1.48nF
漏源电阻
18mOhm
最大rds
22 mΩ
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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-
HUFA76429P3
Through Hole
TO-220-3
60V
47A (Tc)
47 A
22 mΩ
16 V
110 W
110W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
55A (Tc)
55 A
-
20 V
115 W
115W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
48A (Tc)
48 A
-
20 V
110 W
110W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
59A (Tc)
59 A
-
16 V
130 W
130W (Tc)
HUFA76429P3 PDF数据手册
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