![HUF76432P3](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
59A Tc
4.5V 10V
130W Tc
26 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
UltraFET™
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
60V
额定电流
55A
元素配置
Single
功率耗散
130W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
17m Ω @ 59A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1765pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
53nC @ 10V
上升时间
250ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
82 ns
连续放电电流(ID)
59A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
-
HUF76432P3
Through Hole
TO-220-3
59 A
59A (Tc)
16 V
130 W
130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Through Hole
TO-220-3
72 A
72A (Tc)
20 V
150 W
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Through Hole
TO-220-3
64 A
64A (Tc)
20 V
94 W
130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Through Hole
TO-220-3
47 A
47A (Tc)
16 V
110 W
110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
HUF76432P3 PDF数据手册
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