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HUF75842P3

型号:

HUF75842P3

封装:

TO-220-3

数据表:

HUF75842P3

描述:

MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 43A Tc

  • 10V

  • 1

  • 230W Tc

  • 47 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    UltraFET™

  • 已出版

    2002

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    150V

  • 额定电流

    43A

  • 电压

    150V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    43A

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    230W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    42m Ω @ 43A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2730pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    175nC @ 20V

  • 上升时间

    53ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    34 ns

  • 连续放电电流(ID)

    43A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.042Ohm

  • 漏源击穿电压

    150V

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    Power Dissipation-Max
    Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
  • HUF75842P3

    HUF75842P3

    Through Hole

    TO-220-3

    43 A

    43A (Tc)

    20 V

    230 W

    230W (Tc)

    10V

  • IRF3415PBF

    Through Hole

    TO-220-3

    43 A

    43A (Tc)

    20 V

    200 W

    200W (Tc)

    10V

  • FQP46N15

    Through Hole

    TO-220-3

    45.6 A

    45.6A (Tc)

    25 V

    210 W

    210W (Tc)

    10V

  • AUIRF3415

    Through Hole

    TO-220-3

    43 A

    43A (Tc)

    20 V

    200 W

    200W (Tc)

    10V