工厂交货时间

12 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

43A Tc

10V

1

200W Tc

71 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

Through Hole

ECCN 代码

EAR99

电阻

42MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

150V

额定电流

43A

螺纹距离

2.54mm

电压

150V

元素配置

Single

电流

43A

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

42m Ω @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200nC @ 10V

上升时间

55ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

69 ns

连续放电电流(ID)

43A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

双电源电压

150V

雪崩能量等级（Eas）

590 mJ

恢复时间

390 ns

栅源电压

4 V

高度

15.24mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free