规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
10V
1
144W Tc
17.1 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2006
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
39MOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
144W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
Rds On(Max)@Id,Vgs
39m Ω @ 21A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1750pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 10V
上升时间
23.1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
13.2 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
恢复时间
120 ns
栅源电压
3 V
高度
9.02mm
长度
10.668mm
宽度
4.826mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFB5615PBF
Through Hole
TO-220-3
35 A
35A (Tc)
3 V
20 V
144 W
144W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
37 A
37A (Ta)
-
20 V
178 W
2W (Ta), 178W (Tj)
-
Through Hole
TO-220-3
41 A
5.9A (Ta), 41A (Tc)
-
20 V
135 W
135W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
35 A
35A (Tc)
3 V
20 V
144 W
144W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
43 A
43A (Tc)
4 V
20 V
200 W
200W (Tc)
IRFB5615PBF PDF数据手册
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