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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / FQT5P10TF /
FQT5P10TF

FQT5P10TF

型号:

FQT5P10TF

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

FQT5P10

描述:

ON SEMICONDUCTOR - FQT5P10TF - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -1 A, -100 V, 0.82 ohm, -10 V, -4 V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 工厂交货时间

    24 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 底架

    Surface Mount

  • 触点镀层

    Tin

  • 引脚数

    3

  • 质量

    188mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 12 ns

  • 2W Tc

  • 1

  • 10V

  • 1A Tc

  • 已出版

    2002

  • 系列

    QFET®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    1.05Ohm

  • 电压 - 额定直流

    -100V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    -1A

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.05 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    250pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8.2nC @ 10V

  • 上升时间

    70ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs（最大值）

    ±30V

  • 下降时间（典型值）

    30 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1mA

  • 阈值电压

    -4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1A

  • 漏源击穿电压

    -100V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    4A

  • 雪崩能量等级（Eas）

    55 mJ

  • 宽度

    3.56mm

  • 长度

    6.5mm

  • 高度

    1.6mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 辐射硬化

    No

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 无铅

    Lead Free

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  • FQT5P10TF

    FQT5P10TF

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    100V

    1 mA

    1A (Tc)

    -4 V

    30 V

    2 W

  • FQT7N10TF
    FQT7N10TF

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    -

    1.7 A

    1.7A (Tc)

    4 V

    25 V

    2 W

  • IRFL9110TRPBF
    IRFL9110TRPBF

    Vishay Siliconix

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    100V

    -1.1 A

    1.1A (Tc)

    -4 V

    20 V

    2 W

  • IRFL9110PBF
    IRFL9110PBF

    Vishay Siliconix

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    100V

    1.1 A

    1.1A (Tc)

    -4 V

    20 V

    2 W

  • STN1NF10
    STN1NF10

    STMicroelectronics

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    -

    500 mA

    1A (Tc)

    3 V

    20 V

    2.5 W