![STN1NF10](https://static.esinoelec.com/200dimg/maximintegrated-ds2401ztr-3526.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1A Tc
10V
1
2.5W Tc
13 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
100V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STN1N
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
800m Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
105pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
上升时间
5.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.5 ns
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏极-源极导通最大电阻
0.8Ohm
漏源击穿电压
100V
高度
1.6mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STN1NF10
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
500 mA
1A (Tc)
3 V
20 V
2.5 W
2.5W (Tc)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.2 A
1.2A (Ta)
1.4 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.8 A
1.8A (Ta)
3 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
-1.1 A
1.1A (Tc)
-4 V
20 V
2 W
2W (Ta), 3.1W (Tc)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.1 A
1.1A (Ta)
-
20 V
1.79 W
1.79W (Ta)