底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

6.6A Tc

10V

1

167W Tc

95 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

800V

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

额定电流

6.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

Not Qualified

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

167W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 3.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1850pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52nC @ 10V

上升时间

80ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

6.6A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26.4A

雪崩能量等级（Eas）

580 mJ

RoHS状态

RoHS Compliant

无铅

Lead Free