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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / FQP5N80 /
FQP5N80

FQP5N80

型号:

FQP5N80

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-220-3

数据表:

FQP5N80

描述:

MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220-3

  • 10V

  • 1

  • 140W Tc

  • 4.8A Tc

  • 55 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    QFET®

  • 已出版

    2000

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    2.6Ohm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    800V

  • 额定电流

    4.5A

  • 电压

    800V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    48A

  • 功率耗散

    140W

  • 接通延迟时间

    22 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.6Ohm @ 2.4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1250pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    33nC @ 10V

  • 上升时间

    60ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    800V

  • Vgs（最大值）

    ±30V

  • 下降时间（典型值）

    40 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4.8A

  • 阈值电压

    5V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    800V

  • 双电源电压

    800V

  • 输入电容

    1.25nF

  • 漏源电阻

    2.6Ohm

  • 最大rds

    2.6 Ω

  • 栅源电压

    5 V

  • 高度

    9.4mm

  • 长度

    10.1mm

  • 宽度

    4.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    Threshold Voltage
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    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • FQP5N80

    FQP5N80

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-220-3

    800V

    4.8 A

    4.8A (Tc)

    5 V

    2.6 Ω

    30 V

    140 W

    140W (Tc)

  • FQP6N90C
    FQP6N90C

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-220-3

    -

    4.5 A

    4.5A (Tc)

    4 V

    -

    30 V

    100 W

    100W (Tc)

  • FQP6N80C
    FQP6N80C

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-220-3

    -

    6 A

    6A (Tc)

    5 V

    -

    30 V

    167 W

    167W (Tc)

  • FQP5N60C
    FQP5N60C

    ON Semiconductor

    -

    TO-220-3

    800V

    -

    5.5A (Tc)

    -

    -

    -

    -

    158W (Tc)

  • IRFBC40APBF
    IRFBC40APBF

    Vishay Siliconix

    Through Hole

    TO-220-3

    600V

    6.2 A

    6.2A (Tc)

    4 V

    1.2 Ω

    30 V

    125 W

    125W (Tc)

FQP5N80 PDF数据手册