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FDS6375
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 2.5W; SO8; PowerTrench®
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
触点镀层
Tin
引脚数
8
质量
130mg
晶体管元件材料
SILICON
124 ns
2.5W Ta
1
2.5V 4.5V
8A Ta
已出版
2001
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
24MOhm
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 额定直流
-20V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
-8A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2694pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 4.5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
57 ns
连续放电电流(ID)
8A
阈值电压
-700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏源击穿电压
-20V
双电源电压
-20V
栅源电压
-700 mV
宽度
4mm
长度
5mm
高度
1.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
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FDS6375 PDF数据手册
- 数据表 : FDS6375 FDS6375-ON-Semiconductor-datasheet-88470.pdf FDS6375-ON-Semiconductor-datasheet-137405309.pdf FDS6375-ON-Semiconductor-datasheet-86689266.pdf FDS6375-ON-Semiconductor-datasheet-81454860.pdf FDS6375-Fairchild-datasheet-8431391.pdf FDS6375-Fairchild-Semiconductor-datasheet-10735962.pdf FDS6375-Fairchild-Semiconductor-datasheet-67650129.pdf
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- PCN 设计/规格 :
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