![FDP8870](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Through Hole
包装/外壳
TO-220AB
引脚数
3
质量
1.8g
1
70 ns
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.1MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
160W
额定电流
160A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
160W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
105ns
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
46 ns
连续放电电流(ID)
156A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
5.2nF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
4.1mOhm
最大rds
4.1 mΩ
栅源电压
2.5 V
高度
9.4mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
FDP8870
Through Hole
TO-220AB
30 V
156 A
2.5 V
4.1 mΩ
20 V
160 W
160 W
-
Through Hole
TO-220-3
-
150 A
1.8 V
-
20 V
-
140 W
-
Through Hole
TO-220-3
-
260 A
2.5 V
-
20 V
-
200 W
-
Through Hole
TO-220-3
-
150 A
2.3 V
-
20 V
-
140 W
-
Through Hole
TO-220-3
-
19 A
-
-
20 V
-
160 W
FDP8870 PDF数据手册
- 数据表 : FDP8870 TO220B03 Pkg Drawing FDP8870-Fairchild-Semiconductor-datasheet-10738512.pdf FDP8870-ON-Semiconductor-datasheet-80928658.pdf FDP8870-ON-Semiconductor-datasheet-86693855.pdf FDP8870-Fairchild-datasheet-77928.pdf FDP8870-ON-Semiconductor-datasheet-86688880.pdf FDP8870-Fairchild-datasheet-8205238.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
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- 到达声明 :