规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
150A Tc
4.5V 10V
1
140W Tc
21 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.8MOhm
电压 - 额定直流
30V
额定电流
150A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
140W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8m Ω @ 38A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4170pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 4.5V
上升时间
50ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
6.9 ns
连续放电电流(ID)
150A
阈值电压
2.3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75A
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
600A
雪崩能量等级（Eas）
560 mJ
恢复时间
63 ns
栅源电压
2.3 V
高度
8.763mm
长度
10.5156mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRL7833PBF
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TO-220-3
150 A
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TO-220-3
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140 W
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-
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20 V
160 W
-
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TO-220-3
260 A
260A (Tc)
2.5 V
20 V
200 W
330W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
114 A
16A (Ta), 114A (Tc)
-
20 V
110 W
110W (Tc)
IRL7833PBF PDF数据手册
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