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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / FDN352AP /
FDN352AP

FDN352AP

型号:

FDN352AP

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表:

FDN352AP

描述:

ON SEMICONDUCTOR - FDN352AP - MOSFET Transistor, P Channel, -1.3 A, -30 V, 0.18 ohm, -10 V, -2 V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.3A Ta

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 500mW Ta

  • 10 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    180MOhm

  • 电压 - 额定直流

    -30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    -1.3A

  • 通道数量

    1

  • 电压

    30V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    13A

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    500mW

  • 接通延迟时间

    4 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    180m Ω @ 1.3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    150pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.9nC @ 4.5V

  • 上升时间

    15ns

  • Vgs（最大值）

    ±25V

  • 下降时间（典型值）

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -1.3A

  • 阈值电压

    -2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 双电源电压

    -30V

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 栅源电压

    -2 V

  • 高度

    1.22mm

  • 长度

    2.92mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
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    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • FDN352AP

    FDN352AP

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    -1.3 A

    1.3A (Ta)

    -2 V

    25 V

    500 mW

    500mW (Ta)

  • NDS351AN
    NDS351AN

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    1.1 A

    1.1A (Ta)

    -

    20 V

    500 mW

    500mW (Ta)

  • IRLML9303TRPBF
    IRLML9303TRPBF

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    -2.3 A

    2.3A (Ta)

    -1.3 V

    20 V

    1.25 W

    1.25W (Ta)

  • NDS352AP
    NDS352AP

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    1.2 A

    1.4A (Ta)

    2.1 V

    20 V

    500 mW

    500mW (Ta)

  • NDS351N
    NDS351N

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    900 mA

    900mA (Ta)

    -800 mV

    20 V

    500 mW

    500mW (Ta)