IRLML9303TRPBF
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
2.3A Ta
4.5V 10V
1
1.25W Ta
9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
165MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
7.5 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
165m Ω @ 2.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 10μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
160pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2nC @ 4.5V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8.6 ns
连续放电电流(ID)
-2.3A
阈值电压
-1.3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12A
恢复时间
18 ns
栅源电压
-1.3 V
高度
1.016mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
IRLML9303TRPBF
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
30V
-2.3 A
2.3A (Ta)
-1.3 V
20 V
1.25 W
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
1.1 A
1.1A (Ta)
-
20 V
500 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
1.2 A
1.4A (Ta)
2.1 V
20 V
500 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
2.7 A
2.7A (Ta)
1.7 V
20 V
1.3 W
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
30V
2.5 A
2.5A (Ta)
-
20 V
-
IRLML9303TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :