IRLML2030TRPBF
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
2.7A Ta
4.5V 10V
1
1.3W Ta
4.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
100MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.3W
接通延迟时间
4.1 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 2.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
110pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1nC @ 4.5V
上升时间
3.3ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
2.9 ns
连续放电电流(ID)
2.7A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.2A
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
11A
恢复时间
14 ns
栅源电压
1.7 V
高度
1.016mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
-
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