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IRLML6346TRPBF

型号:

IRLML6346TRPBF

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表:

IRLML6346TRPBF

描述:

MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 制造商包装标识符

    Micro3

  • 3.4A Ta

  • 2.5V 4.5V

  • 1

  • 1.3W Ta

  • 12 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    80MOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.3W

  • 接通延迟时间

    3.3 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    63m Ω @ 3.4A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.1V @ 10μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    270pF @ 24V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.9nC @ 4.5V

  • 上升时间

    4ns

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    4.9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.4A

  • 阈值电压

    800mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 恢复时间

    13 ns

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 栅源电压

    800 mV

  • 高度

    1.12mm

  • 长度

    3.04mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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