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FDMC8622
8-PowerWDFN
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mO
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
200mg
晶体管元件材料
SILICON
4A Ta 16A Tc
6V 10V
1
2.5W Ta 31W Tc
10.2 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
31W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
56m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
402pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.3nC @ 10V
上升时间
1.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.2 ns
连续放电电流(ID)
16A
阈值电压
2.9V
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏极-源极导通最大电阻
0.056Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
雪崩能量等级(Eas)
37 mJ
栅源电压
2.9 V
高度
750μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
FDMC8622
Surface Mount
8-PowerWDFN
16 A
4A (Ta), 16A (Tc)
2.9 V
20 V
31 W
2.5W (Ta), 31W (Tc)
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric SB
14.4 A
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
4 V
20 V
2.4 W
2.4W (Ta), 30W (Tc)
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric SH
3.4 A
4.2A (Ta), 19A (Tc)
5 V
20 V
42 W
2.2W (Ta), 42W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
20 A
20A (Tc)
-
16 V
-
150W (Tc)
FDMC8622 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :