工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SH

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

2.2W Ta 42W Tc

14 ns

1

10V

4.2A Ta 19A Tc

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

操作温度

-40°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

100V

端子位置

BOTTOM

额定电流

4.2A

JESD-30代码

R-XBCC-N2

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

42W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

62m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

2.8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.3 ns

连续放电电流(ID)

3.4A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.062Ohm

漏源击穿电压

100V

栅源电压

5 V

宽度

3.95mm

长度

4.826mm

高度

506μm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free