FDD86110
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 50 A, 10.2 mO
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
12.5A Ta 50A Tc
6V 10V
1
3.1W Ta 127W Tc
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.2m Ω @ 12.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2265pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
5.4ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
3.9 ns
连续放电电流(ID)
12.5A
阈值电压
2.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
50A
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
栅源电压
2.8 V
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
FDD86110
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
12.5 A
12.5A (Ta), 50A (Tc)
2.8 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 127W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
36 A
8A (Ta), 36A (Tc)
3.1 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40 A
40A (Tc)
3 V
20 V
3 W
3W (Ta), 136W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
13 A
13A (Tc)
3 V
20 V
50 W
50W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
34 A
34A (Ta)
2.5 V
20 V
83 W
3.8W (Ta), 83W (Tc)
FDD86110 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :