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FDC638P
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC638P - MOSFET Transistor, P Channel, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -800 mV
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
4.5A Ta
2.5V 4.5V
1
1.6W Ta
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
48MOhm
电压 - 额定直流
-20V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
-4.5A
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
48m Ω @ 4.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1160pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 4.5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
-4.5A
阈值电压
-800mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
双电源电压
-20V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-800 mV
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDC638P
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SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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FDC638P PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :