![FDC638APZ](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fan5622sx-7877.jpg)
FDC638APZ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
4.5A Ta
2.5V 4.5V
1
1.6W Ta
48 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
43MOhm
电压 - 额定直流
-12V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
-4.5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
资历状况
Not Qualified
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
43m Ω @ 4.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 4.5V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
-4.5A
阈值电压
-800mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
双电源电压
-20V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
FDC638APZ
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
20V
-4.5 A
4.5A (Ta)
-800 mV
12 V
1.6 W
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
20V
5.8 A
5.8A (Ta)
-1 V
12 V
1.6 W
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
-
-5.5 A
5.5A (Ta)
-900 mV
12 V
1.6 W
-
Surface Mount
SOT-23-6
20V
-5.6 A
5.6A (Ta)
-
12 V
2 W
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
20V
4.5 mA
4.5A (Ta)
-1 V
12 V
1.6 W
FDC638APZ PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :