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FDB8880
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
11A Ta 54A Tc
4.5V 10V
1
55W Tc
47 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
额定电流
54A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
55W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.6m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1240pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 10V
上升时间
107ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
51 ns
连续放电电流(ID)
54A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
栅源电压
2.5 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
11.33mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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FDB8880
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
54 A
11A (Ta), 54A (Tc)
2.5 V
20 V
55 W
55W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
50 A
15A (Ta), 50A (Tc)
1.9 V
20 V
60 W
3.1W (Ta), 60W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
70 A
70A (Tc)
2.5 V
20 V
92 W
92W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
70 A
70A (Tc)
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20 V
79 W
79W (Tc)
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
50 A
50A (Tc)
-
20 V
47 W
47W (Tc)
FDB8880 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 技术图纸 :
- 到达声明 :