IPB080N03LGATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
4.5V 10V
1
47W Tc
18 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
47W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
上升时间
3.6ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
2.8 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
48A
雪崩能量等级（Eas）
50 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
50A (Tc)
50 A
20 V
47W (Tc)
47 W
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
70A (Tc)
70 A
20 V
79W (Tc)
79 W
ROHS3 Compliant
IPB080N03LGATMA1 PDF数据手册
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