![FDB024N08BL7](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fgbs3040e1f085-2777.jpg)
FDB024N08BL7
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Trans MOSFET N-CH 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
质量
1.312g
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
10V
1
246W Tc
87 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
JESD-30代码
R-PSSO-G6
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
246W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
47 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13530pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
178nC @ 10V
上升时间
66ns
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
41 ns
连续放电电流(ID)
229A
JEDEC-95代码
TO-263CB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0024Ohm
DS 击穿电压-最小值
80V
高度
4.7mm
长度
10.2mm
宽度
9.4mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
FDB024N08BL7
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
80V
229 A
120A (Tc)
20 V
246 W
246W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
265 A
120A (Tc)
20 V
395 W
395W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
270 A
195A (Tc)
16 V
380 W
380W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
235 A
120A (Tc)
20 V
375 W
375W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
193 A
120A (Tc)
20 V
231 W
231W (Tc)
FDB024N08BL7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 技术图纸 :
- 到达声明 :