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FDB031N08
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
3
质量
1.762g
晶体管元件材料
SILICON
335 ns
375W Tc
1
10V
120A Tc
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.1MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
375W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
230 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.1m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
15160pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
220nC @ 10V
上升时间
191ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
121 ns
连续放电电流(ID)
235A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
940A
宽度
11.33mm
长度
10.67mm
高度
4.83mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDB031N08
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
235 A
120A (Tc)
20 V
375 W
375W (Tc)
10V
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
265 A
120A (Tc)
20 V
395 W
395W (Tc)
10V
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
195 A
195A (Tc)
20 V
375 W
375W (Tc)
10V
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
230 A
195A (Tc)
20 V
370 W
370W (Tc)
10V
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D2PAK7P
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FDB031N08 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :