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FCPF190N60E
TO-220-3 Full Pack
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60E Power MOSFET, N Channel, 20.6 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2.5 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
引脚数
3
质量
2.27g
212 ns
39W Tc
1
10V
20.6A Tc
已出版
2013
系列
SuperFET® II
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
功率耗散
39W
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3175pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
82nC @ 10V
上升时间
38ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
20.6A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
650V
宽度
4.9mm
长度
10.36mm
高度
9.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
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FCPF190N60E
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600V
26.7 A
26.7A (Tc)
3 V
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FCPF190N60E PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :