生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

11A Tc

10V

1

125W Tc

119 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET™

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Not For New Designs

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

380MOhm

电压 - 额定直流

600V

额定电流

11A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

125W

接通延迟时间

34 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1490pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52nC @ 10V

上升时间

98ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

56 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free