![FCH170N60](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-rurg3020cc-4625.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
22A Tc
10V
1
227W Tc
55 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
170m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2860pF @ 380V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
55nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.8 ns
连续放电电流(ID)
22A
JEDEC-95代码
TO-247AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
66A
雪崩能量等级(Eas)
525 mJ
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
4.82mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)Moisture Sensitivity Level (MSL)
-
FCH170N60
Through Hole
TO-247-3
22 A
22A (Tc)
30 V
227W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
28 A
28A (Tc)
30 V
278W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
16 A
16A (Tc)
30 V
280W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
24 A
24A (Tc)
30 V
298W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
28 A
28A (Tc)
20 V
250W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
FCH170N60 PDF数据手册
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- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
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