![FCH067N65S3-F155](https://static.esinoelec.com/200oimg/onsemiconductor-fch067n65s3f155-5687.jpg)
FCH067N65S3-F155
TO-247-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH067N65S3_F155 Power MOSFET, N Channel, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 VNew
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
44A Tc
10V
312W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® III
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
67m Ω @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 4.4mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3090pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
78nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
44A
阈值电压
4.5V
场效应管特性
Super Junction
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltagePower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
FCH067N65S3-F155
Through Hole
TO-247-3
650V
44 A
44A (Tc)
4.5 V
312W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
650V
46 A
46A (Tc)
-
330W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
47 A
47A (Tc)
4 V
379W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
-
52 A
52A (Tc)
-
350W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
650V
49 A
49A (Tc)
-
358W (Tc)
10V
FCH067N65S3-F155 PDF数据手册
- 数据表 : FCH067N65S3 FCH067N65S3-F155-ON-Semiconductor-datasheet-95793665.pdf FCH067N65S3_F155-Fairchild-Semiconductor-datasheet-81472117.pdf FCH067N65S3-F155-ON-Semiconductor-datasheet-62330746.pdf FCH067N65S3_F155-Fairchild-Semiconductor-datasheet-65849877.pdf FCH067N65S3-F155-ON-Semiconductor-datasheet-85458538.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 部件号 :
- 技术图纸 :
- 到达声明 :