生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

75A Tc

10V

1

592W Tc

162 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

接通延迟时间

46 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

43m Ω @ 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12225pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

215nC @ 10V

上升时间

36ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

75A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

225A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

2025 mJ

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant