![FCH041N65F-F155](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-mur3060wtg-4615.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
76A Tc
10V
1
595W Tc
190 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
FRFET®, SuperFET® II
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
44mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSFM-T3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
60 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
41m Ω @ 38A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 7.6mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13020pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
294nC @ 10V
上升时间
47ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.5 ns
连续放电电流(ID)
76A
JEDEC-95代码
TO-247AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
228A
DS 击穿电压-最小值
650V
雪崩能量等级(Eas)
2025 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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-
FCH041N65F-F155
Through Hole
TO-247-3
650V
76 A
76A (Tc)
30 V
595W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
-
76 A
76A (Tc)
20 V
595W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
-
54 A
54A (Tc)
30 V
481W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
76 A
76A (Tc)
-
595W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
650V
60 A
60A (Tc)
-
446W (Tc)
10V
FCH041N65F-F155 PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
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