你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

FCH041N65F-F155

型号:

FCH041N65F-F155

封装:

TO-247-3

数据表:

FCH041N65F_F155

描述:

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 质量

    6.39g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 76A Tc

  • 10V

  • 1

  • 595W Tc

  • 190 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    FRFET®, SuperFET® II

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 电阻

    44mOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 接通延迟时间

    60 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    41m Ω @ 38A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 7.6mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    13020pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    294nC @ 10V

  • 上升时间

    47ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    6.5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    76A

  • JEDEC-95代码

    TO-247AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    228A

  • DS 击穿电压-最小值

    650V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    2025 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

相关型号