工厂交货时间

17 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

4.9A 4.1A

2

21.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

48mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

LOW THRESHOLD

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

2.1W

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

6.4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

通道数量

2

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

3 ns

功率 - 最大

1.25W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

796pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.5nC @ 10V

上升时间

6.4ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

9.4 ns

连续放电电流(ID)

6.4A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.9A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free