![DMP2160UFDB-7](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-ap9050fdb7-4807.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
55.34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.4W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
11.51 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 2.8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
536pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.5nC @ 4.5V
上升时间
12.09ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
12.09 ns
连续放电电流(ID)
3.8A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.07Ohm
漏源击穿电压
-20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
13A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationMounting Type
-
DMP2160UFDB-7
Surface Mount
6-UDFN Exposed Pad
20V
3.8 A
12 V
1.4 W
1.4 W
Surface Mount
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Surface Mount
8-VDFN Exposed Pad
20V
2.9 A
12 V
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Surface Mount
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Surface Mount
8-VDFN Exposed Pad
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6 A
12 V
1.5 W
1.5 W
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Surface Mount
6-UDFN Exposed Pad
20V
3.3 A
12 V
730 mW
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20V
3.3 A
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DMP2160UFDB-7 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :