规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
2
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e4
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
730mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
389pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
3.3A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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DMN2050LFDB-7
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DMN2050LFDB-7 PDF数据手册
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