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DMS2120LFWB-7

型号:

DMS2120LFWB-7

封装:

8-VDFN Exposed Pad

数据表:

DMS2120LFWB

描述:

MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-VDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    8

  • 质量

    37.393021mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2.9A Ta

  • 1.8V 4.5V

  • 1

  • 1.5W Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    8

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    95m Ω @ 2.8A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    632pF @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 连续放电电流(ID)

    2.9A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.095Ohm

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

  • 高度

    780μm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    2mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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