![DMN2016LFG-7](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-sbrt4u60lp7-0274.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerUDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
84.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
18mOhm
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
770mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMN2016L
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
S-PDSO-N5
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
2.6 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1472pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 4.5V
上升时间
13.2ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
46.8 ns
连续放电电流(ID)
5.2A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationMounting TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
DMN2016LFG-7
Surface Mount
8-PowerUDFN
20V
5.2 A
8 V
770 mW
Surface Mount
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
6-UDFN Exposed Pad
-
6.2 A
12 V
-
Surface Mount
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
8-VDFN Exposed Pad
-
6 A
12 V
1.5 W
Surface Mount
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
8-PowerUDFN
20V
6.1 A
12 V
920 mW
Surface Mount
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
6-UFDFN Exposed Pad
20V
9.3 A
12 V
800 mW
Surface Mount
1 (Unlimited)
DMN2016LFG-7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :