你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

DMN2014LHAB-7

型号:

DMN2014LHAB-7

封装:

6-UFDFN Exposed Pad

数据表:

DMN2014LHAB-7

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-UFDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    7

  • 9A

  • 40.9 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 最大功率耗散

    800mW

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 接通延迟时间

    6.9 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Common Drain

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    13m Ω @ 4A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1550pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16nC @ 4.5V

  • 上升时间

    15.5ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    12 ns

  • 连续放电电流(ID)

    9.3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 高度

    600μm

  • 长度

    3.05mm

  • 宽度

    2.05mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

相关型号

DMN2014LHAB-7 PDF数据手册