
APT50GF60HR
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
No
Obsolete
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
1
150 °C
METAL
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
450 ns
120 ns
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-MSFM-P3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-258AA
最大耗散功率(Abs)
180 W
集电极电流-最大值(IC)
55 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V