
APT110GL100JN
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Obsolete
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
1
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
110 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
VCEsat-最大值
3 V
环境耗散-最大值
415 W