
APT50GF60BR
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
No
Obsolete
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
100 ns
280 ns
30 ns
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247
最大耗散功率(Abs)
300 W
集电极电流-最大值(IC)
75 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
最大下降时间 (tf)
110 ns