
APT100GF60JR
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Yes
Obsolete
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
495 ns
220 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
500 W
集电极电流-最大值(IC)
100 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V