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APT100GF60JR

型号:

APT100GF60JR

封装:

-

描述:

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Yes

  • Obsolete

  • ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

  • FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4

  • 1

  • 150 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • RECTANGULAR

  • FLANGE MOUNT

  • 495 ns

  • 220 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X4

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    500 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    100 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

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