APT35G60BN
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
No
Obsolete
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
,
150 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
Reach合规守则
unknown
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
162 W
集电极电流-最大值(IC)
35 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5 V