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STS5DNF60L

型号:

STS5DNF60L

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

STS5DNF60L

描述:

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 45 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    LOW THRESHOLD

  • 最大功率耗散

    2W

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 基本部件号

    STS5D

  • 引脚数量

    8

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2W

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    45m Ω @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1030pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 4.5V

  • 上升时间

    28ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.055Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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