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STL20DN10F7

型号:

STL20DN10F7

封装:

8-PowerVDFN

数据表:

STL20DN10F7

描述:

MOSFET POWER MOSFET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 11 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    DeepGATE™, STripFET™ VII

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    65mOhm

  • 最大功率耗散

    62.5W

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    STL20

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    6.3 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    67m Ω @ 2.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    408pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7.8nC @ 10V

  • 上升时间

    3ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 下降时间(典型值)

    4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    RoHS Status
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
  • STL20DN10F7

    STL20DN10F7

    Surface Mount

    8-PowerVDFN

    100V

    20 A

    20 V

    62.5 W

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

  • STD15NF10T4

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    -

    25 A

    20 V

    -

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

  • NVD6495NLT4G

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    -

    23 A

    20 V

    -

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

STL20DN10F7 PDF数据手册