规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
38 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
PowerFLATTM_8256945_DI_typeC
33A Tc
2
12.1 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STL36
JESD-30代码
R-PDSO-F6
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
58W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.85 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
27m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
420pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 10V
连续放电电流(ID)
33A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
36A
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
144A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
175°C
场效应管特性
Standard
高度
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL36DN6F7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :