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STL36DN6F7

型号:

STL36DN6F7

封装:

8-PowerVDFN

描述:

MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    38 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 制造商包装标识符

    PowerFLATTM_8256945_DI_typeC

  • 33A Tc

  • 2

  • 12.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    STripFET™

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    STL36

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    58W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    7.85 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    27m Ω @ 4.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    420pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8nC @ 10V

  • 连续放电电流(ID)

    33A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    36A

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    144A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    175°C

  • 场效应管特性

    Standard

  • 高度

    1mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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