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STS7C4F30L

型号:

STS7C4F30L

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

STS7C4F30L

描述:

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 7A 4A

  • 2

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    STripFET™

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    NICKEL PALLADIUM GOLD

  • 最大功率耗散

    2W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    7A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    STS7C4

  • 引脚数量

    8

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    22m Ω @ 3.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1050pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23nC @ 5V

  • 上升时间

    35ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    4A

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    7A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.026Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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