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STS8DN6LF6AG

型号:

STS8DN6LF6AG

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

描述:

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 8A Ta

  • 2

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    STS8DN

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率 - 最大

    3.2W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    24m Ω @ 4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1340pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    27nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    8A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.026Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    32A

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    72 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    3.2W

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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