STS8DN6LF6AG
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
8A Ta
2
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STS8DN
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率 - 最大
3.2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1340pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.026Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
72 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.2W
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STS8DN6LF6AG PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :