![STS1DN45K3](https://static.esinoelec.com/200dimg/siliconlabs-si4834a20gu-3790.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperMESH3™
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.8Ohm
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
1.3W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STS1D
引脚数量
8
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.7W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
450V
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
漏源击穿电压
450V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
2A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationMax Power Dissipation
-
STS1DN45K3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
450V
500 mA
3.75 V
30 V
1.7 W
1.3 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
-13 A
-3 V
25 V
2.5 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
10.8 A
3.9 V
30 V
2.5 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
2.9 mA
-1.8 V
25 V
2 W
2 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
5 A
3 V
20 V
2.3 W
2.3 W
STS1DN45K3 PDF数据手册
- 数据表 :